對圓周方向的電阻值的不均勻依然無法改善。

此外，采用連續硫化法時，如果硫化時的熱傳遞沒有設法盡量達到均勻，則擠壓后的硫化速度不一致，這樣可能電阻值的不均勻程度反而大于間歇式硫化法。特別是在圓周方向上這種傾向更顯著。

采用連續硫化法時，在擠壓機的擠壓筒內的半徑方向上有非常大的剪切速度分布，這可能會影響電子導電性填充劑的分散。

在使用電子照相方法的打印技術中，已經漸進實現高速打印操作、高質量圖像形成、彩色像形成、以及成像裝置小型化，并且變得很普遍。色粉一直是這些改進的關鍵。為滿足上述需要，必須形成精細分配的色粉顆粒，使得色粉顆粒的直徑均一，并且使得色粉顆粒呈球形。至于形成精細分配的色粉顆粒的技術，近已經開發出直徑不超過10nm的色粉和不超過5pm的色粉。至于使色粉呈球形的技術，已經開發出球形度99%以上的色粉。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。

由于具有獨特的物理化學性能，當代科學技術的飛速發展，將會越來越多的應用于國民經濟中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微電子技術等高科技領域及石油化工、化學工業、汽車尾氣凈化等與人類生活息息相關的領域，并在眾多的應用領域中起著關鍵的的作用，因此被譽為“首要高技術金屬”、“現代工業的維生素”“現代新金屬”，發達的國家長期以來一直把視為“戰略性物質”。如今開發出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0。

濺射靶材ITO靶材的生產工藝ITO靶材的生產工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結法。各種生產工藝及其特點簡介如下：

熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結。熱等靜壓工藝制造產品密度高、物理機械性能好，但設備投入高，生產成本高，產品的缺氧率高。王水在溶解了貴金屬的溶液中有大量的殘余和硝基物的存在給后續提煉或精煉貴金屬帶來操作困難或失敗，嚴重影響貴金屬的提煉或精煉工藝順利進行，嚴重影響貴金屬回收率，故王水貴金屬溶液的濃縮趕硝是緊隨溶解其后的務必工序。